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沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。光刻和离子刻蚀定出 PAD 位置。最后进行退火处理以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性。Wafer Probe晶圆针测工序waferballing process晶圆球状化工艺
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