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半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态 NANN8寸整张蓝膜，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。物理清洗有三种方法。①刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。②高压清洗：是用液体喷射片子表面，喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用，片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用，靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。③超声波清洗：超声波声能传入溶液，靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是 NANN8寸整张蓝膜晶圆，从有图形的片子上除去小于 1微米颗粒则比较困难。将频率提高到超高频频段，清洗效果更好
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赛维LDK是专注于太阳能多晶硅料、铸锭及多晶硅片研发、生产、销售为一体的高新技术光伏企业。美国纽交所上市公司，2008年实现销售收入预计将达17.5亿美元。并成为全球第一家进入“吉瓦俱乐部”的光伏企业。订单总量超过了13GW，成为世界在手订单最多的多晶硅片供应商。赛维LDK正在致力于发展成为一个集太阳能多晶硅料、铸锭及硅片研发、生产、销售为一体的“世界级光伏领袖企业”。在多晶硅领域，赛维LDK多晶硅项目建立了国际最先进的全闭环循环系统，所有的生产工艺成分及废弃物将全部进行回收，不仅节约了成本，而且保护环境，解决了生产多晶硅的最大技术瓶颈。项目投产后，成本控制将远远超越国内现有生产水平，达到国际先进水平。这将是中国最有希望在环境、规模、成本、质量等多方面取得全面成功的硅料项目。到2009年，赛维LDK有望成为世界领先的产能最大、技术最先进、工艺最环保的多晶硅及太阳能硅片生产基地。
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