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闪存的基本单元电路与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加正电压,使电子进入第一级浮空栅。

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.写使能(Write Enable nand 原厂不良, WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。3.读使能(Read Enable nand 蓝膜硅片, RE#): RE#允许输出数据缓冲器。4.指令锁存使能(Command Latch Enable, CLE): 当CLE为高时,在WE#信号的上升沿,指令被锁存到NAND指令寄存器中。5.地址锁存使能(Address Latch Enable, ALE):当ALE为高时,在WE#信号的上升沿,地址被锁存到NAND地址寄存器中。6.就绪/忙(Ready/Busy, R/B#):如果NAND器件忙,R/B#信号将变低。该信号是漏极开路,需要采用上拉电阻。


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