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利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
含有硼磷杂质的SiO2 层，有较低的熔点，硼磷氧化层(BPSG) 加热到800 oC 时会软化并有流动特性 回收整张8寸蓝膜NAZA，可使晶圆表面初级平坦化。
溅镀第一层金属利用光刻技术留出金属接触洞，溅镀钛+ 氮化钛+ 铝+ 氮化钛等多层金属膜。离子刻蚀出布线结构，并用PECVD 在上面沉积一层SiO2 介电质。并用SOG (spin on glass) 使表面平坦 NANN8寸蓝膜回收，加热去除SOG 中的溶剂。然后再沉积一层介电质 8寸蓝膜，为沉积第二层金属作准备。
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沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。光刻和离子刻蚀定出 PAD 位置。最后进行退火处理以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性。Wafer Probe晶圆针测工序waferballing process晶圆球状化工艺
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