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利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层。
生长未有氮化硅保护的 SiO2 层 整张NANN蓝膜片回收，形成 PN 之间的隔离区。
热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 ， 作为栅极氧化层。
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溅镀（ Sputtering Deposition ） 所谓溅射是用高速粒子（如氩离子等）撞击固体表面，将固体表面的原子撞击出来，利用这一现象来形成薄膜的技术即让等离子体中的离子加速 整张8寸蓝膜片回收，撞击原料靶材，将撞击出的靶材原子淀积到对面的基片表面形成薄膜。溅射法与真空蒸发法相比有以下的特点：台阶部分的被覆性好，可形成大面积的均质薄膜 蓝膜片，形成的薄膜，可获得和化合物靶材同一成分的薄膜，可获得绝缘薄膜和高熔点材料的薄膜，形成的薄膜和下层材料具有良好的密接性能。
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