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SiO2膜很薄时,看不到干涉色,但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低,约为10E+10-- 10E+11/cm ?2.eV-1 数量级。(100)面时,氧化膜中固定电荷较多,固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。


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薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同,厚度通常小于 1um 。有绝缘膜、半导体薄膜金属薄膜等各种各样的薄膜薄膜的沉积法主要有利用化学反应的CVD(chemical vapor deposition) 法以及物理现象的PVD(physical vapor deposition) 法两大类。CVD 法有外延生长法、HCVD , PECVD 等。PVD 有溅射法和真空蒸发法。一般而言, PVD 温度低 回收8寸蓝膜NANN,没有毒气问题; CVD 温度高,需达到1000 oC 以上将气体解离 整张8寸蓝膜晶圆回收,来产生化学作用。PVD 沉积到材料表面的附着力较CVD 差一些, PVD 适用于在光电产业,而半导体制程中的金属导电膜大多使用PVD 来沉积,而其他绝缘膜则大多数采用要求较严谨的CVD 技术。以PVD 被覆硬质薄膜具有高强度,耐腐蚀等特点。


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