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要形成较厚SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时 整张8寸蓝膜片晶圆回收，因在于OH基SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应 8寸蓝膜回收，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。
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在淀积的同时导入PH3 气体，就形成磷硅玻璃（ PSG： phosphor silicate glass）再导入B2H6气体就形成BPSG(borro ? phosphor silicate glass)膜。这两种薄膜材料，高温下的流动性好，广泛用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。
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