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离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底 晶圆回收，形成P型阱离子注入法是利用电场加速杂质离子 HTX5晶圆回收，将其注入硅衬底中的方法。离子注入法的特点是可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布。
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电极和布线用的铝合金（ Al-Si 镁光蓝膜晶圆回收， Al-Si-Cu ）等都是利用溅射法形成的。最常用的溅射法在平行平板电极间接上高频（ 13.56MHz ）电源，使氩气（压力为1Pa ）离子化，在靶材溅射出来的原子淀积到放到另一侧电极上的基片上。
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