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离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底 EHL9晶圆回收,形成P型阱离子注入法是利用电场加速杂质离子,将其注入硅衬底中的方法。离子注入法的特点是可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布。
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溅射法与真空蒸发法相比有以下的特点:台阶部分的被覆性好,可形成大面积的均质薄膜 EEU3晶圆回收EEU3,形成的薄膜,可获得和化合物靶材同一成分的薄膜,可获得绝缘薄膜和高熔点材料的薄膜,形成的薄膜和下层材料具有良好的密接性能。
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